张怀武

曾留学韩国科学院和日本东北大学。先后在美国Ansoft公司、意大利电工所、俄罗斯ELMA、乌克兰CARAT、韩国KIST、日本东北大学进行科研合作及学术交流。兼任欧洲《J.Vacuum》、美国《J. THz Science and Technology>》、《电子学报》、《硅酸盐学报》等学术刊物编委。现任电子薄膜与集成器件国家重点实验室副主任，磁学国家重点实验室学术委员会委员，国务院学位委员会电子科学与技术分委会委员，教育部高等学校电子科学与技术专业教学指导委员会委员，电子信息材料与器件国家级实验教学示范中心主任。

张怀武主要研究的领域是电子材料与元器件。他发明了从三代至五代铁氧体芯材系列配方及改性技术方法，基本解决了我国磁芯高损耗问题，使我国功率铁氧体磁芯技术水平达到国际先进水平。

长期致力于电子信息科学与技术领域的基础理论、材料、器件、系统研究工作。在微波通信用大尺寸单晶生长理论和提拉技术方面取得了突破，使我国成为少数拥有此技术的国家；提出高密度抗毁伤磁光信息存储理论，成功研制出磁光信息器件并实现了产业化；突破了新型节能磁性材料及低温共烧复合双性能磁电材料的瓶颈技术，对我国磁性材料与器件从第三代过渡到第四代具有极大的促进作用。作为首席科学家承担特大工程“代号XXX”项目2项，国家自然科学重大项目、重点项目和国家973、863项目多项。

基于以上成果，于“九五”期间，建成了国内第一条磁光盘生产线；2006年建成国内和四川省第一条LTCC型集成片式滤波器生产线，年产4亿只器件；2009年建成光通信和微波通信用晶体生产线，继美国、俄罗斯、乌克兰后在国际上成功拉制出4英寸GGG晶体，发明了3英寸无铅超厚磁光通信晶体外延技术，使我国在该类晶体研制方面迈入世界前列；宽频双性抗EMI材料、低功耗铁氧体磁性材料与器件自主创新技术已在国内多家企业技术推广应用，累计已获产值36亿。

曾获国家技术发明二等奖1项，国家科技进步二等奖1项，国际科学工程荣誉奖1项，教育部自然科学奖一等奖1项，省部级科技进步一等奖4项，二等奖6项，三等奖11项。发表SCI收录论文289篇；取得国家授权发明专利22项；培养硕士研究生50余人、博士研究生20余人。出版著有《电子薄膜》、《抗电磁干扰材料与元器件》、《现代印制电路原理与工艺》、《自旋电子学》4本专著。担任”电子材料”国家精品课程负责人，“电子科学与技术”国家级特色专业负责人。

2015年8月1日，入选2015年中国科学院院士增选初步候选人名单。

2017年8月1日，入选2017年中国科学院院士增选初步候选人名单。